Транзисторы из карбида кремния (SiC), разбор технологии и испытания на скорость
Опубликовано: 31.03.2021
Разбираюсь с технологией карбид кремниевых транзисторов (SiC), делаю испытания скоростных характеристик. Рассматриваю моменты применения SiC MOSFET транзисторов в частотных преобразователях и в целом в силовой импульсной электронике.