SK Hynix

Историческая справка

SK Hynix – один из пяти ведущих мировых производителей оперативной памяти. Компания образовалась в Южной Корее 1983 году, как специализированное отделение Hyundai Electronics Industries по производству модулей памяти.  

В результате слияния с купленной в 1999 году компанией LG Semicon произошел ребрендинг, и Хеникс стала называться Hynix Semiconductor, сохранив это имя до 2001 года. В 2001 году произошло выделение компании из концерна Hyundai. В последующие годы развития Hynix расширяла ассортиментную линейку своей продукции, инвестировала часть прибыли в новые разработки. Это позволило компании в 2010 году выйти на второе место по объему продаж микросхем памяти в мире.

Штаб-квартира Hynix  расположена в городе Ичхон, Южная Корея. В штате занято 21 000 человек. Производственные мощности и исследовательские центры расположены в Корее, США, на Тайвани, в Китае. Президент и исполнительный директор – господин Chey.

Знаменательное событие в истории Hynix произошло в 2012 году. Промышленная группа SK Group приобрела 21% акций компании, что отразилось в очередной смене названия бренда. Теперь продукция выходит под маркой SK Hynix. В связи с этим в ближайшие перспективы компании входит расширение номенклатуры продукции, а также открытие новых филиалов и дилерских центров.

Продукция

Ассортимент продукции компании включает несколько номенклатурных групп.

1. Полупроводниковая DRAM память.

SK Hynix разрабатывает продукцию в концепции защиты окружающей среды и создает устройства с низким энергопотреблением. Одна из последних разработок – память 3xnm 2Gb DDR3 потребляет на 20% электроэнергии меньше, чем предыдущие спецификации этого семейства. Основные характеристики микросхем памяти второго поколения DDR3:
- емкость  от 1 до 2 Гбит;
- напряжение 1,5 В;
- соблюдение норм 44-нм техпроцесса.
Данные микросхемы используются в ноутбуках и значительно увеличивают время их работы от батарей.

2. Память для data-центров.

Компания SK Hynix предлагает семейство продуктов памяти, ориентированных для использования в серверах и data-центрах. Предлагаемые компоненты DRAM включают SDRAM, DDR, DDR2 и DDR3 в широком диапазоне плотности, конфигураций и модульных форм-факторов и имеют сверхвысокую производительность. Модули выпускаются в диапазоне объемов от 1 до 4 Гбайт.

3. Модули памяти для графических адаптеров.

Данная линейка представлена семействами DDR3 SCDRAM и GDRS CDRAM. Одна из недавних разработок - 3xnm GDDR5, объемом 2 Гбита,  скоростью на 7 Гбит/с и пропускной способностью  28GB/sec с 32-разрядным вводом-выводом используется для получения графических изображений самого высокого качества. Для работы модуля достаточно напряжения всего 1,3В.

Другие спецификации – модули  4 Гбита со скоростью на 2.2 Гбит/с  и пропускной способностью  4.4GB/sec с 16-разрядным вводом-выводом. Предлагаемый ассортимент устройств  полностью удовлетворяет потребности разработчиков для большинства приложений

4. Память для мобильных устройств.

Разработка памяти для мобильных устройств идет по пути увеличения времени их работы от батарей.  SK Hynix – мировой лидер по производству таких микросхем памяти с низким энергопотреблением и высокой производительностью,  в супер компактных корпусах. В обозначении всех линейки продуктов есть буквы LP, которые означают использование технологий низкого энергопотребления.

5. Флэш-память.

SK Hynix является разработчиком и поставщиком флэш-памяти для мобильных телефонов, DVD плееров, компьютеров, драйверов жестких дисков и  модемов. Спецификации модулей производятся в диапазонах  рабочего напряжения 4.5-5.5 В, 2.7-3.6 В,1.8-2.2 В и емкостью 2-32M. Первые устройства компания стала производить еще в 1999 году.
Основные характеристики:
- надежность;
- низкое энергопотребление;
- небольшой вес и компактность.

Флэш-память на основе ячеек NAND  - это наиболее подходящая основа для построения энергонезависимых устройств хранения больших объемов информации. В основе структуры NAND  лежит принцип последовательного соединения элементарных ячеек, образующих группы, которые объединяются в страницы, а страницы – в блоки. При таком построении массива памяти обращение производится к блокам или к группам блоков, поэтому процессы стирания и записи происходят быстрее, чем при использовании архитектуры NOR.

С ростом популярности Apple iPad и MacBook Air, а также представления формата ультрабуков,  спрос на NAND флэш-чипы на 32 – 128 Гбит увеличился, на что компания SK Hynix  отреагировала увеличением объемов производств этого вида памяти.

В марте этого года компания SK Hynix заявила о намерении приобрести японского производителя памяти Elpida Memory, недавно обанкротившегося. Это открывает перед   SK Hynix широкие перспективы и позволит, по оценкам специалистов, владеть тридцатью процентам мировых продаж DRAM-памяти, уступая лишь Samsung.

Официальный сайт SK Hynix