Главная » Компании
Призовой фонд
на май 2017 г.
1. Тестер компонентов MG328
Паяльник
2. Осциллограф DSO138
Паяльник
3. Регулируемый паяльник 60 Вт
Паяльник
4. 100 руб.
От пользователей

Micron Technology

Историческая справка

Micron Technology – один из ведущих мировых разработчиков полупроводниковых технологий и производитель готовых модулей динамической памяти DRAM, HAND и Flash – памяти. Различные виды чипов Micron используются в компьютерах, сетях, серверах, мобильных устройствах.

Компания Micron Technology была зарегистрирована в 1978 году в городе Бойсе штат Айдахо (США). Уже через год после основания инженеры компании разработали и модули памяти DRAM емкостью 64 К, а в 1981 году было налажено их серийное производство. В это же время была подготовлена территория в Бойсе площадью 200 акров для строительства завода.

К моменту выпуска модуля памяти DRAM емкостью 264 K, в 1984 г., был построен второй завод с цехами сборки и отладки продукции.  На протяжении периода деятельности в 1984 по 1990 год  Micron Technolog вывела на рынок следующие продукты:
- ОЗУ для хранения изображений 256K video RAM;
- статические ОЗУ емкостью 16K, 64K, 256K;
- дополнительные платы памяти.

В начале 90-х годов компания перешла к производству 4-х, а затем 16-ти  мегабитных плат DRAM. В период до 2000 года значимыми были следующие события:
- строительство новых производственных мощностей в г. Лехай, штат Юта (США);
- слияние отделений ZEOS International, Ltd., Micron Computer, Inc., и Micron Custom Manufacturing Services, Inc. в корпорацию Micron Electronics;
- создание специального подразделения Crucial Technology, с функциями  – маркетинг рынка и продажи продуктов компании конечным потребителям.
- открытие филиала компании в Великобритании.
Следующее десятилетие истории развития компании можно охарактеризовать, как период активной разработки новых продуктов, открытия дочерних предприятий и филиалов, совместных разработок с компаниями Intel, Samsung.

Продукция

Ассортиментная линейка продукции Micron включает:

1. Платы динамической памяти DRAM различной емкости и конфигураций. В группе продуктов DRAM можно найти решение для любого требуемого приложения.
- SDRAM – синхронная динамическая оперативная память, работающая на одной и той же частоте с шинами 100MHz или 133MHz. Компания предлагает широкий диапазон моделей емкостью от 64 до 512 Мб, с различным рабочим диапазоном температур, числом тактов ожидания, равным 2 или 3, длительностью такта памяти и шины от 5 до 8 нс. Микросхемы SDRAM разработаны на основе собственной полупроводниковой технологии и являются рентабельным и относительно простым в эксплуатации продуктом.
- DDR SDRAM – более совершенный стандарт оперативной памяти с двойной скоростью передачи данных.  Представление DDR технологии стало революцией в микроэлектронике. Двойная скорость передачи данных обеспечивается за счет передачи их дважды за один тактовый цикл: первый раз – в начале, второй – в конце цикла, а не вследствие удвоения тактовой частоты.
- DDR2 SDRAM – следующее поколение памяти с производительностью до 533 МГц. Предлагаются различные спецификации конфигурации, емкости, и  набора дополнительных опций.
- DDR3 SDRAM, RLDRAM,  Mobile LPDRAM, CellularRAM.

2. Модули памяти: DRAM: FBDIMM, RDIMM, Mini-DIMM, всего 9 спецификаций.

3. Флэш-память с архитектурой NAND, использующей трехмерный массив полупроводников  и NOR с классической двумерной матрицей.  Micron Technology развивает перспективные flash-технологии по пути создания интегрированных решений, уменьшения энергопотребления и размеров модулей памяти, увеличения их объема и быстродействия.

4. Твердотельные устройства хранения данных (Solid State Storage). Компания предлагает различные модификации устройств для хранения данных с использованием интегральных микросхем, в конструкции которых - не магнитные диски, а неподвижная флеш-память. Разработчики Micron прогнозируют, что устройства Solid State Storage станут важным сегментом рынка корпоративных систем хранения данных. В линейке решений производителя предлагаются как твердотельные устройства хранения данных, так и решения на базе жестких дисков. Соотношение уровня производства данных видов памяти меняется в соответствии с потребительским спросом.

5. Память с изменением фазового состояния (Phase Change Memory) – решение, ломающее представления о традиционной архитектуре памяти. PCM объединяет лучшие свойства NOR, NAND и RAM в одном чипе. В основе технологии – использование частиц металлического сплава халькогенида для хранения данных.
Специалисты компании осуществляют техническую поддержку всех своих продуктов.

Micron Technology сегодня

Совместно с концерном Intel компания сегодня занимается разработкой принципиально новых микросхем по технологии Hybrid Memory Cube, использование которых обещает скачок в производительности вычислительных устройств. Платы памяти располагаются в несколько уровней, что снижает потребление энергии и увеличивает пропускную способность до террабита в секунду. Использовать Hybrid Memory Cube предполагается в высокопроизводительных серверах.

Штаб-квартира компании расположена в Бойсе. Собственные заводы есть в городах Манассас (штат Вирджиния), Кирьят-Гад (Израиль), Agrate and Avezzano (Италия), в Сингапуре, Великобритании, Китае. Офисы продаж продуктов компании расположены в Америке, Европе, Азии.

Свою миссию корпорация видит  в том, чтобы оставаться эффективным и инновационным производителем полупроводниковых решений.

Официальный сайт Micron Technology

Комментарии (0) | Подписаться

Статью еще никто не комментировал. Вы можете стать первым.
Добавить комментарий
Имя:
E-mail:
не публикуется
Текст:
Защита от спама:
В чем измеряется электрическое сопротивление?
Файлы:
 
Для выбора нескольких файлов использйте CTRL

Конструктор регулируемого преобразователя напряжения LM317
Конструктор регулируемого преобразователя напряжения LM317
Металлоискатель MD3010II Arduino UNO
вверх