Micron Technology

Историческая справка

Micron Technology – один из ведущих мировых разработчиков полупроводниковых технологий и производитель готовых модулей динамической памяти DRAM, HAND и Flash – памяти. Различные виды чипов Micron используются в компьютерах, сетях, серверах, мобильных устройствах.

Компания Micron Technology была зарегистрирована в 1978 году в городе Бойсе штат Айдахо (США). Уже через год после основания инженеры компании разработали и модули памяти DRAM емкостью 64 К, а в 1981 году было налажено их серийное производство. В это же время была подготовлена территория в Бойсе площадью 200 акров для строительства завода.

К моменту выпуска модуля памяти DRAM емкостью 264 K, в 1984 г., был построен второй завод с цехами сборки и отладки продукции.  На протяжении периода деятельности в 1984 по 1990 год  Micron Technolog вывела на рынок следующие продукты:
- ОЗУ для хранения изображений 256K video RAM;
- статические ОЗУ емкостью 16K, 64K, 256K;
- дополнительные платы памяти.

В начале 90-х годов компания перешла к производству 4-х, а затем 16-ти  мегабитных плат DRAM. В период до 2000 года значимыми были следующие события:
- строительство новых производственных мощностей в г. Лехай, штат Юта (США);
- слияние отделений ZEOS International, Ltd., Micron Computer, Inc., и Micron Custom Manufacturing Services, Inc. в корпорацию Micron Electronics;
- создание специального подразделения Crucial Technology, с функциями  – маркетинг рынка и продажи продуктов компании конечным потребителям.
- открытие филиала компании в Великобритании.
Следующее десятилетие истории развития компании можно охарактеризовать, как период активной разработки новых продуктов, открытия дочерних предприятий и филиалов, совместных разработок с компаниями Intel, Samsung.

Продукция

Ассортиментная линейка продукции Micron включает:

1. Платы динамической памяти DRAM различной емкости и конфигураций. В группе продуктов DRAM можно найти решение для любого требуемого приложения.
- SDRAM – синхронная динамическая оперативная память, работающая на одной и той же частоте с шинами 100MHz или 133MHz. Компания предлагает широкий диапазон моделей емкостью от 64 до 512 Мб, с различным рабочим диапазоном температур, числом тактов ожидания, равным 2 или 3, длительностью такта памяти и шины от 5 до 8 нс. Микросхемы SDRAM разработаны на основе собственной полупроводниковой технологии и являются рентабельным и относительно простым в эксплуатации продуктом.
- DDR SDRAM – более совершенный стандарт оперативной памяти с двойной скоростью передачи данных.  Представление DDR технологии стало революцией в микроэлектронике. Двойная скорость передачи данных обеспечивается за счет передачи их дважды за один тактовый цикл: первый раз – в начале, второй – в конце цикла, а не вследствие удвоения тактовой частоты.
- DDR2 SDRAM – следующее поколение памяти с производительностью до 533 МГц. Предлагаются различные спецификации конфигурации, емкости, и  набора дополнительных опций.
- DDR3 SDRAM, RLDRAM,  Mobile LPDRAM, CellularRAM.

2. Модули памяти: DRAM: FBDIMM, RDIMM, Mini-DIMM, всего 9 спецификаций.

3. Флэш-память с архитектурой NAND, использующей трехмерный массив полупроводников  и NOR с классической двумерной матрицей.  Micron Technology развивает перспективные flash-технологии по пути создания интегрированных решений, уменьшения энергопотребления и размеров модулей памяти, увеличения их объема и быстродействия.

4. Твердотельные устройства хранения данных (Solid State Storage). Компания предлагает различные модификации устройств для хранения данных с использованием интегральных микросхем, в конструкции которых - не магнитные диски, а неподвижная флеш-память. Разработчики Micron прогнозируют, что устройства Solid State Storage станут важным сегментом рынка корпоративных систем хранения данных. В линейке решений производителя предлагаются как твердотельные устройства хранения данных, так и решения на базе жестких дисков. Соотношение уровня производства данных видов памяти меняется в соответствии с потребительским спросом.

5. Память с изменением фазового состояния (Phase Change Memory) – решение, ломающее представления о традиционной архитектуре памяти. PCM объединяет лучшие свойства NOR, NAND и RAM в одном чипе. В основе технологии – использование частиц металлического сплава халькогенида для хранения данных.
Специалисты компании осуществляют техническую поддержку всех своих продуктов.

Micron Technology сегодня

Совместно с концерном Intel компания сегодня занимается разработкой принципиально новых микросхем по технологии Hybrid Memory Cube, использование которых обещает скачок в производительности вычислительных устройств. Платы памяти располагаются в несколько уровней, что снижает потребление энергии и увеличивает пропускную способность до террабита в секунду. Использовать Hybrid Memory Cube предполагается в высокопроизводительных серверах.

Штаб-квартира компании расположена в Бойсе. Собственные заводы есть в городах Манассас (штат Вирджиния), Кирьят-Гад (Израиль), Agrate and Avezzano (Италия), в Сингапуре, Великобритании, Китае. Офисы продаж продуктов компании расположены в Америке, Европе, Азии.

Свою миссию корпорация видит  в том, чтобы оставаться эффективным и инновационным производителем полупроводниковых решений.

Официальный сайт Micron Technology