Призовой фонд
на декабрь 2019 г.
1. 1000 руб
Паяльник
2. 100 руб.
От пользователей

BUZ11

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы MOSFET

  • Наименование: BUZ11
  • Тип: N-Channel
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 50 В
  • Постоянный ток стока (ID): 30 А
  • Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 40 мОм
  • Мощность рассеяния (PD): 75 Вт
  • Напряжение насыщения затвор-исток (max) (VGS): 20 В
  • Пороговое напряжение включения (VGS(th)): 3 В
  • Пороговое напряжение включения (min) (VGS(th) (min)): 2.1 В
  • Пороговое напряжение включения (max) (VGS(th) (max)): 4 В
  • Емкость затвора (Ciss): 1.5 нФ
  • Выходная емкость (Coss): 750 пФ
  • Проходная емкость (Crss): 250 пФ
  • Время нарастания (tr): 70 нс
  • Время задержки включения (td(on)): 30 нс
  • Время спада (tf): 130 нс
  • Время задержки выключения (td(off)): 180 нс
  • Время обратного восстановления (trr): 200 нс
  • Корпус: TO-220AB
  • Даташит: Даташит
  • Распиновка:
  • Производитель: FairChild



Корпус TO-220AB:
Корпус TO-220AB
Распиновка:
Распиновка BUZ11