Призовой фонд
на апрель 2024 г.
1. 100 руб.
От пользователей

Реклама ⓘ

IRF3808

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы MOSFET

  • Наименование: IRF3808
  • Тип: N-Channel
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 75 В
  • Постоянный ток стока (ID): 140 А
  • Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 7 мОм
  • Мощность рассеяния (PD): 330 Вт
  • Напряжение насыщения затвор-исток (max) (VGS): 20 В
  • Пороговое напряжение включения (min) (VGS(th) (min)): 2 В
  • Пороговое напряжение включения (max) (VGS(th) (max)): 4 В
  • Заряд затвор-сток (QGD): 5 нКл
  • Заряд затвор-исток (QGS): 31 нКл
  • Заряд затвора (QG(tot)): 150 нКл
  • Энергия лавинного процесса одиночного импульса (max) (EAS): 430 мДж
  • Лавинный ток (IAR): 82 А
  • Емкость затвора (Ciss): 5.31 нФ
  • Выходная емкость (Coss): 890 пФ
  • Проходная емкость (Crss): 130 пФ
  • Время нарастания (tr): 140 нс
  • Время задержки включения (td(on)): 16 нс
  • Время спада (tf): 120 нс
  • Время задержки выключения (td(off)): 68 нс
  • Время обратного восстановления (trr): 93 нс
  • Скорость нарастания напряжения (dv/dt): 5.5 В/нс
  • Корпус: TO-220AB
  • Даташит: Даташит
  • Производитель: International Rectifier



Корпус TO-220AB:
Корпус TO-220AB