Транзисторы - Наименование: КТ837Ф
- Тип: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 30 Вт
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 30 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 45 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 5 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 7.5 А
Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 50- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 150
- Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 500 мВ
- Обратный ток коллектора при постоянном напряжении коллектор-база (IКБО): 150 мкА
