Полупроводники - Наименование: BD682
- Тип: PNP
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 100 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 100 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 5 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 4 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 14 Вт
Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 2.5 В- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 750
- Корпус: TO-126
- Даташит: Даташит
- Производитель: ON Semiconductor
Корпус TO-126:
