Полупроводники - Наименование: 2SC3182
- Тип: NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 140 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 140 В
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 5 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность (PК (max)): 100 Вт
Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 2 В- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 55
- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 160
- Граничная частота передачи тока ft (частота, на которой hFE становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц), сверхвысокочастотные (более 300 МГц).Граничная частота ft (fГР): 30 МГц
- Корпус: TO-3P
- Даташит: Даташит
- Распиновка:
- Производитель: Savantic
Корпус TO-3P:
Распиновка:
