Призовой фонд
на декабрь 2019 г.
1. 1000 руб
Паяльник
2. 100 руб.
От пользователей

2SB1132

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

  • Наименование: 2SB1132
  • Тип: PNP
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 32 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 40 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 1 А
  • Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 400 мВ
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 82
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 390
  • Корпус: TO-252(DPAK, SOT-89)
  • Даташит: Даташит
  • Производитель: Unisonic technologies



Корпус TO-252(DPAK, SOT-89):
Корпус TO-252(DPAK, SOT-89)