Полупроводники - Наименование: 2SC1815
- Тип: NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 50 В
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 60 В
- Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 150 мА
Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 250 мВ- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 120
- Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21ЭКоэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 700
- Корпус: TO-92
- Даташит: Даташит
- Производитель: Unisonic technologies
Корпус TO-92:
