Призовой фонд
на апрель 2024 г.
1. 100 руб.
От пользователей

Реклама ⓘ

P0903BDG

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы MOSFET

  • Наименование: P0903BDG
  • Тип: N-Channel
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 25 В
  • Постоянный ток стока (ID): 50 А
  • Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 500 мкОм
  • Мощность рассеяния (PD): 50 Вт
  • Напряжение насыщения затвор-исток (max) (VGS): 20 В
  • Пороговое напряжение включения (VGS(th)): 1.6 В
  • Заряд затвор-сток (QGD): 10 нКл
  • Заряд затвор-исток (QGS): 15 нКл
  • Заряд затвора (QG(tot)): 25 нКл
  • Энергия лавинного процесса одиночного импульса (max) (EAS): 250 мДж
  • Энергия повторяющегося лавинного процесса (max) (EAR): 8.6 мДж
  • Лавинный ток (IAR): 40 А
  • Емкость затвора (Ciss): 1.2 нФ
  • Выходная емкость (Coss): 600 пФ
  • Проходная емкость (Crss): 350 пФ
  • Время нарастания (tr): 120 нс
  • Время задержки включения (td(on)): 6 нс
  • Время спада (tf): 105 нс
  • Время задержки выключения (td(off)): 40 нс
  • Время обратного восстановления (trr): 70 нс
  • Корпус: TO-252(DPAK)
  • Даташит: Даташит
  • Распиновка:
  • Производитель: NIKO-SEM



Корпус TO-252(DPAK):
Корпус TO-252(DPAK)
Распиновка:
Распиновка P0903BDG