Малогабаритные диоды с барьером Шоттки показывают самое низкое значение напряжения падения

14 ноября 2012. Компания ROHM представила серию RBE малогабаритных диодов с барьером Шоттки, показывающих наинизшее, в отрасли, значение напряжения падения при прямом включении, делая их хорошим вариантом для применения в переносимых устройствах, требующих снижения размеров корпуса, таких как смартфоны. Компоненты доступны в различных корпусах, включая новый корпус формфактора VML2, размеры которого составляют всего 1.0 x 0.6 мм.

Растущая тенденция большей функциональности и сложности смартфонов и других мобильных устройств, снижение их размеров, сохранение или даже увеличение времени работы этих устройств от батарей, привела к увеличению спроса на миниатюрные компоненты, снижающим потребляемую устройствами мощность, в частности, спрос на диоды с барьером Шоттки, применяющихся в источниках питания, где требуется низкое значение напряжения падения на диоде при прямом включении компонента (Vf) и высокое среднее значение выпрямленного тока. Однако, до сих пор для сокращения значения Vf и увеличения максимального тока, требовалось увеличить размер кристалла диода, что затрудняло возможности миниатюризации.

В ответ на данные потребности, компания ROHM значительно улучшила токовую эффективность, переработав основу диодного элемента, уменьшив значение напряжения падения на 32% по сравнению с распространёнными альтернативами. Это привело к более низкому показателю тепловыделения и более высокому номинальному току, и позволило использовать корпус с меньшими габаритными размерами, что помогает сократить занимаемую на печатной плате компонентом площадь на 80%.

Основные особенности

1. Высокое значение максимального тока, в компактном корпусе
Самое низкое значение напряжения прямого падения в отрасли позволяет получить высокие значения токов, выполнив компонент в малогабаритном корпусе.

Корпус   (формфактор)   Серия RBE   Распространённые решения
VML2 (1006)       0.5A                  0.2A
EMD2    (1608)                   0.5A                  0.2A
UMD2    (2512)                   0.7A                  0.5A
TUMD2 (2513)                   2.0A                  1.5A

*Максимального ток, при обратном напряжении 20В

2. Уменьшенная, занимаемая компонентом, площадь на 80%
Более высокий номинальный ток позволил использовать корпус с меньшими размерами, что значительно сокращает, занимаемую компонентом, площадь платы.

Технические характеристики (Ta=25°C)

Корпус Номинал Vr(В) Io(А) Vf(В) If(А) Ir(мА)
VML2 RBE05AS20A 20 0.5 0.53 0.5 0.15