Компания Toshiba выпустила новый, сдвоенный MOSFET для заряда мобильных устройств

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) выпустила новый, сдвоенный N-канальный MOSFET с низким сопротивлением для приложений управления питанием в мобильных устройствах. SSM6N58NU MOSFET поддерживает высокий ток, а также схемы беспроводного заряда, которые используются в смартфонах, планшетах и ноутбуках.

Поскольку емкость батареи мобильных устройств возрастает, существует необходимость в устройствах, которые поддерживают повышенные зарядные токи и частоты для снижения во времени продолжительности заряда. Также SSM6N58NU имеет максимальный DC ток стока (I_D) величиной 4A и максимальный импульсный ток стока (I_DP) величиной 10A. Кроме того, поскольку заряд затвора и емкость MOSFET-транзистора значительно снижены, устройство поддерживает быстрое срабатывание.

N-канальный MOSFET обеспечивает высокую производительность и скорость переключения благодаря конструктивному исполнению, которое минимизирует сопротивление в открытом состоянии (R_DS₍_ON₎) и входную емкость (C_ISS). Величина входной емкости составляет менее 129 пФ, в то время как сопротивление в открытом состоянии R_DS₍_ON₎ составляет 67 мОм при напряжении V_GS=4.5В. Это обеспечивает малые потери и режим работы с высоким быстродействием, с временем переключения в открытое состояние (t_on) величиной 26 нс, и временем переключения в закрытое состояние (t_off) величиной 9 нс. Низкий заряд затвора величиной Q_g=1.8nC (@ I_D=4A) значительно уменьшает АС рассеивание мощности на частоте 3 МГц, гарантируя использование в приложениях с DC преобразователями. Независимая конфигурация MOSFET и высокий уровень защиты от электростатического разряда величиной более 2кВ также расширяют возможности использования данного устройства в цепях защиты батарей.

SSM6N58NU поставляется в монтируемом на поверхности корпусе UDFN6, который занимает на плате площадь размером 2мм х 2мм, с высотой всего лишь 0.75 мм. Благодаря плоскому корпусу, данное устройство обеспечивает рассеивание мощности величиной 2 Вт и может выдерживать температуру до 150°C.

Даташит (PDF)

Источник новости