Новая гибридная "кубическая" память от компании Micron

Компания Micron Technology заявила об адаптации своей гибридной «кубической» памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для суперкомпьютерных систем с производительностью один квадриллион операций в секунду, что является огромным шагом вперед в технологии использования памяти. Память HMC разработана для применений, которым требуется низкое энергопотребление и широкополосный доступ к памяти. Эти параметры очень важны для суперкомпьютеров. Другие применения включают обработку пакета данных, буферизацию или хранение пакета данных, а также ускорение процессора.

Компании Micron и Fujitsu, мировые лидеры в отрасли создания суперкомпьютеров, представят на конференции Supercomputing '13 Conference, которая будет проходить в Денвере с 19 по 21 ноября, выставочный стенд, на котором будут показаны HMC микросхемы, используемые для прототипа суперкомпьютера нового поколения компании Fujitsu.

Обработка данных суперкомпьютером является очень важной технологией, позволяющей ученным и инженерам выполнять комплексное моделирование, которое продвигает исследования и разработки, и позволяет изучать фундаментальные вопросы, касающиеся организации нашей вселенной. Использование памяти HMC для раскрытия потенциала многоядерной архитектуры суперкомпьютеров позволит получить превосходную вычислительную производительность.

"Наши системные разработчики были очень впечатлены памятью HMC, поскольку она обеспечивает требуемую полосу пропускания при разработке новых систем, имеет супер компактный форм- фактор и оптимизированное энергопотребление на один бит", сказал Юджи Ойнага (Yuji Oinaga), глава подразделения Next Generation Technical Computing Unit компании Fujitsu. "Для оптимальной эффективности производительности прикладного программного обеспечения необходимо улучшить соотношение Б(байты)/Ф(флопсы). Данная память HMC обеспечивает новый стандарт производительности памяти для суперкомпьютерных вычислений".

Память HMC использует технологию TSV (размещение кристаллов друг над другом с межсоединениями переходными отверстиями в кремнии) – вертикальные каналы, которые электрически соединяют стек отдельных чипов, предназначены для объединения высокопроизводительной логики с современной памятью DRAM компании Micron. Память HMC компании Micron обеспечивает непревзойденную пропускную способность величиной 160 ГБ/с, используя при этом до 70 процентов меньше энергии на один бит по сравнению с существующими решениями, что в результате приводит к значительному снижению общих расходов заказчика.

Серийное производство 2ГБ и 4ГБ модулей памяти HMC ожидается к концу 2014 года.

Источник новости