Корпорация Vishay Intertechnology, Inc предлагает новые p-канальные силовые MOSFET-транзисторы в корпусах PowerPAK® 1212-8 и PowerPAK 1212-8S с напряжением сток-исток -40 В и -30 В соответственно, изготовленные по технологии TrenchFET® Gen III. Характеризуясь промышленно-низким сопротивлением в открытом состоянии при напряжениях затвор-исток -10 В и -4.5 В, транзистор Vishay Siliconix SiS443DN является первым -40 В p-канальным Gen III устройством, в то время как SiSS27DN первым -30 В MOSFET-транзистором в корпусе PowerPAK 1212-8S.
SiS443DN и SiSS27DN оптимизированы для переключателей нагрузки напряжением 24 В, 19 В и 12 В, и адаптерных и батарейных выключателей в широком диапазоне применений, включая управление питанием в переносных компьютерах, смартфонах и планшетах. Промышленно-низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет разработчикам достичь низкого падения напряжения в своих схемах и содействует более эффективному использованию питания и длительному времени работы от батарей.
Для применений, требующих более высоких значений напряжения, -40 В SiS443DN обеспечивает максимальное сопротивление в открытом состоянии величиной 11.7 МОм (-10 В) и 16 МОм (-4.5 В) в корпусе PowerPAK 1212-8 размером 3.3 мм на 3.3 мм. Когда величина сопротивления в открытом состоянии является критичным параметром, SiSS27DN предлагает низкие значения 5.6 МОм (-10 В) и 9 МОм (-4.5 В) в корпусе PowerPAK 1212-8S с низким профилем величиной 0.75 мм.
SiS443DN и SiSS27DN полностью прошли тесты Rg и UIS. MOSFET-транзисторы являются безгалогеновыми в соответствии со стандартом JEDEC JS709A и удовлетворяют директиве RoHS Directive 2011/65/EU.
В настоящее время доступны образцы и производственные партии новых p-канальных MOSFET-транзисторов, время выполнения заказа составляет 14-16 недель для крупных заказов.
Опубликована: 17.07.2013
Вознаградить
Комментарии (0)
|
Я собрал (0) |
Подписаться
Для добавления Вашей сборки необходима регистрация