Схема управления импульсными стабилизаторами 1155ЕУ1

   Микросхема предназначена для управления мощными импульсными стабилизаторами напряжения, схемами управления электроприводом с током коммутации до 5 А.

   В состав микросхемы входят: стабилизатор напряжения, ШИМ, усилитель сигнала рассогласования, компаратор, генератор пилообразного напряжения, узлы температурной и токовой защиты и силовой биполярный транзистор.

   Микросхема изготавливается в 8-выводном металлостеклянном корпусе типа 4.106.010.

Рис. 1 Структурная схема микросхемы

   Назначение выводов микросхемы представлено в таблице, структурная схема приведена на рис. 1, а типовая схема включения — на рис. 2.

Электрические параметры

Режимы эксплуатации

   Примечание: Рассеиваемая мощность в диапазоне температуры от 25 до 125°С снижается линейно на 0,16 Вт/°С.

Рекомендации по применению

   При монтаже микросхемы необходимо учитывать, что ее корпус электрически связан с общим проводом ее внутренних узлов.

   Принцип действия микросхемы основан на ШИМ преобразовании входного напряжения. Выходное напряжение усилителя сигнала рассогласования (УСР) с помощью коммутатора ШИМ сравнивается с напряжением генератора пилообразного напряжения G. Если напряжение генератора не превышает напряжение УСР, то выход коммутатора находится в состоянии лог. «0», а ключевой транзистор в это время открыт. В процессе формирования фронта пилообразного напряжения генератор вырабатывает прямоугольный импульс, который используется для синхронизации ШИМ. Во время действия синхроимпульса ключевой транзистор находится в закрытом состоянии, т.е. передний фронт управляющих импульсов на выходе формирователя (база ключевого транзистора) совпадает с началом формирования линейно нарастающего участка пилообразного напряжения. Этим исключается влияние нелинейности спадающего участка пилообразного напряжения на параметры ШИМ.

Рис. 2 Типовая схема включения

   Конденсатор входного фильтра рекомендуется располагать как можно ближе к выв. 1 и 2 микросхемы, а выв. 5 зашунтировать конденсатором емкостью 0,01...0,1 мкФ.

   При использовании микросхемы в схемах с заземленным эмиттером ключевого транзистора (выв. 8) значение времязадающего конденсатора, подключаемого к выв. 3, должно быть не менее 0,025 мкФ.

   При температуре кристалла микросхемы более 150°С срабатывает схема температурной защиты. Для восстановления работоспособности схемы необходимо отключить нагрузку и кратковременно выключить напряжение питания (выв. 2).

   Если превышен предельно допустимый выходной ток (5 А), срабатывает защита потоку. При отключении нагрузки работоспособность схемы восстанавливается.

Дата публикации: 17.03.2004