Полупроводники - Наименование: 2SK3132
- Тип: N-Channel
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 500 В
- Постоянный ток стока (ID): 50 А
- Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 70 мОм
- Мощность рассеяния (PD): 250 Вт
- Напряжение насыщения затвор-исток (max) (VGS): 30 В
- Заряд затвор-сток (QGD): 130 нКл
- Заряд затвор-исток (QGS): 150 нКл
- Заряд затвора (QG(tot)): 280 нКл
- Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-mb)): 0.5 К/Вт
- Энергия лавинного процесса одиночного импульса (max) (EAS): 525 мДж
- Энергия повторяющегося лавинного процесса (max) (EAR): 25 мДж
- Емкость затвора (Ciss): 11 нФ
- Выходная емкость (Coss): 4.2 нФ
- Проходная емкость (Crss): 2.1 нФ
- Время задержки включения (td(on)): 160 нс
- Время задержки выключения (td(off)): 245 нс
- Корпус: TO-3P(L)
- Даташит: Даташит
- Производитель: Toshiba
