Призовой фонд
на август 2017 г.
1. Регулируемый паяльник 60 Вт
Паяльник
2. Тестер компонентов LCR-T4
Паяльник
3. 100 руб.
От пользователей

КТ603Д

Раздел: Отечественные Транзисторы Биполярные

  • Наименование: КТ603Д
  • Тип: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 500 мкВт
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 10 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 10 В
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 3 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 300 мА
  • Максимальный импульсный ток коллектора (IКИ (max)): 600 мА
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 20
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 80
  • Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 1 В
  • Обратный ток коллектора при постоянном напряжении коллектор-база (IКБО): 1000 нА
  • Граничная частота передачи тока ft (частота, на которой hFE становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц), сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
    Граничная частота ft (fГР): 200 МГц