Призовой фонд
на июнь 2019 г.
1. 1000 руб
Паяльник
2. Тестер компонентов LCR-T4
Сайт Паяльник
3. 100 руб.
От пользователей

КТ203Б

Раздел: Отечественные Транзисторы Биполярные

  • Наименование: КТ203Б
  • Тип: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 0.15 Вт
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 30 В
  • Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 30 В
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-база VEBO (max) (UЭБ (max)): 15 В
  • Максимальный ток коллектора IC (max) (IК (max)): 10 мА
  • Максимальный импульсный ток коллектора (IКИ (max)): 50 мА
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (min) (hFE (min)): 30
  • Коэффициент усиления (передачи) по току является одним из основных параметров транзистора. Обозначается как h21, hFE, β. Показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения. В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК. Например: h21Э
    Коэффициент усиления по току (max) (hFE (max)): 150
  • Напряжение насыщения VCE (sat) - это предел управляющего напряжения, при котором ток через транзистор перестает расти. Транзистор полностью открыт.
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (sat) (UКЭ (нас)): 1 В
  • Обратный ток коллектора при постоянном напряжении коллектор-база (IКБО): 1000 нА
  • Граничная частота передачи тока ft (частота, на которой hFE становится равным единице), по ней биполярные транзисторы делят на низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц), сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
    Граничная частота ft (fГР): 5 МГц