NXP анонсирует самый маленький в мире сдвоенный транзистор, размерами всего 2х2мм. Не взирая на размер, каждый из транзисторов имеет номинальный коллекторный ток 2А и 3А пиковый. Так-же, согласно заявлениям производителя транзисторы имеют ультра низкое напряжение насыщения, равное 60мВ, характеризующее малый ток потребления, и достаточно высокую мощность.
Данный транзистор имеет типоразмеры DFN2020-6 (SOT1118), как говорилось ранее- размерами всего 2х2мм, с коллекторными напряжением (VCEO) равным 30, 60 и 120 V (PBSS4112PAN)
Новый сдвоенный транзистор отлично подходит для мобильных устройств благодаря низкому напряжению насыщения, таких как смартфоны, планшеты, коммуникаторы, навигаторы. В них он может служить коммутатором цепи зарядки или питания, силовым ключем.
Корпус транзистора в восемь раз меньше, чем стандартный SO8, к тому-же DFN2020-6 может рассеять мощность до 1Вт! . DFN корпус выстой всего 0.6мм с радиатором может заменить многие более крупные сборки транзисторов в корпусах, таких как SO8 или SOT457.
В данный момент компания NXP предлагает портфолио сдвоенных транзисторов в корпусе DFN2020, составляющее 36 моделей.
Даташиты на некоторые из представленных транзисторных сборок смотрите ниже:
Транзистор с большим коллекторным током (PBSS4112PAN, 120 В, 1 NPN / NPN)
Транзистор с низким напряжением насыщения (PBSS4230PANP, 30 В, 2 NPN / PNP, VCEsat: 60 мВ)
Информация о типоразмере DFN2020-6 (SOT1118)
Компания NXP занимает лидирующие места в рейтинге разработок в сфере электроники, и данный транзистор для нее лишь очередной шаг. Представители заявляют, что в будущем компания планирует еще больше уменьшить транзисторы, поместив их в корпус 1х1мм.
Опубликована: 14.03.2013
Вознаградить
Комментарии (0)
|
Я собрал (0) |
Подписаться
Для добавления Вашей сборки необходима регистрация