Главная » Новости электроники
Призовой фонд
на июль 2017 г.
1. Осциллограф DSO138
Паяльник
2. Регулируемый паяльник 60 Вт
Паяльник
3. 200 руб.
От пользователей

Компания Toshiba выпустила новый, сдвоенный MOSFET для заряда мобильных устройств

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) выпустила новый, сдвоенный N-канальный MOSFET с низким сопротивлением для приложений управления питанием в мобильных устройствах. SSM6N58NU MOSFET поддерживает высокий ток, а также схемы беспроводного заряда, которые используются в смартфонах, планшетах и ноутбуках.

Поскольку емкость батареи мобильных устройств возрастает, существует необходимость в устройствах, которые поддерживают повышенные зарядные токи и частоты для снижения во времени продолжительности заряда. Также SSM6N58NU имеет максимальный DC ток стока (ID) величиной 4A и максимальный импульсный ток стока (IDP) величиной 10A. Кроме того, поскольку заряд затвора и емкость MOSFET-транзистора значительно снижены, устройство поддерживает быстрое срабатывание.

N-канальный MOSFET обеспечивает высокую производительность и скорость переключения благодаря конструктивному исполнению, которое минимизирует сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) и входную емкость (CISS). Величина входной емкости составляет менее 129 пФ, в то время как сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) составляет 67 мОм при напряжении VGS=4.5В. Это обеспечивает малые потери и режим работы с высоким быстродействием, с временем переключения в открытое состояние (ton) величиной 26 нс, и временем переключения в закрытое состояние (toff) величиной 9 нс. Низкий заряд затвора величиной Qg=1.8nC (@ ID=4A) значительно уменьшает АС рассеивание мощности на частоте 3 МГц, гарантируя использование в приложениях с DC преобразователями. Независимая конфигурация MOSFET и высокий уровень защиты от электростатического разряда величиной более 2кВ также расширяют возможности использования данного устройства в цепях защиты батарей.

SSM6N58NU поставляется в монтируемом на поверхности корпусе UDFN6, который занимает на плате площадь размером 2мм х 2мм, с высотой всего лишь 0.75 мм. Благодаря плоскому корпусу, данное устройство обеспечивает рассеивание мощности величиной 2 Вт и может выдерживать температуру до 150°C.

Даташит (PDF)

Источник новости

Теги:

topa_biser Опубликована: 0 0
0
x

Оценить статью

  • Техническая грамотность
  • Актуальность материала
  • Орфография
0

Средний балл статьи: 0 Проголосовало: 0 чел.

Комментарии (0) | Я собрал (0) | Подписаться

Статью еще никто не комментировал. Вы можете стать первым.
Добавить комментарий
Имя:
E-mail:
не публикуется
Текст:
Защита от спама:
В чем измеряется сила тока?

UNI-T UT-61A
UNI-T UT-61A
Бокс для хранения компонентов Набор для сборки - LED лампа
вверх