Компания ROHM Semiconductor разработала новые бюджетные MOSFET-транзисторы

Компания ROHM Semiconductor объявила о выпуске двух новых бюджетных карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов 1200 В, обозначаемых как SCT2080KE и SCH2080KE, которые имеют превосходные характеристики. Оба транзистора имеют сопротивление открытого канала 80 мОм, а SCH2080KE представляет собой первый карбид-кремниевый MOSFET упакованный вместе с дискретным встречным карбид-кремниевым диодом Шотки (SBD). Данный дискретный диод характеризуется прямым напряжением, которое в три раза меньше, чем напряжение встроенного диода. Комбинация превосходной коммутирующей характеристики, низкого сопротивления в открытом состоянии и высокого уровня напряжения пробоя делают данный транзистор компании ROHM Semiconductor идеальной заменой для мощных кремниевых MOSFET и IGBT транзисторов в таких устройствах как солнечные инверторы, трехфазные инверторы, DC-DC преобразователи, источники бесперебойного питания (UPS) и приводы двигателя.

Карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SCT2080KE и SCH2080KE компании ROHM обеспечивают значительно меньшую потерю при переключении, на 90% ниже по сравнению с кремниевыми транзисторами, благодаря отсутствию остаточного тока и функции быстрого восстановления внутреннего диода. Это позволяет разработчикам силовых систем увеличить частоту переключения и снизить размер, стоимость и вес пассивного оборудования. Более того, разработчики могут использовать эти преимущества для достижения более высоких показателей эффективности систем от внедрения упрощенных, менее дорогих систем охлаждения, посредством перехода от жидкостного или с принудительной подачей воздуха регулировкой теплообмена на меньшие и легкие теплоотводы с воздушным охлаждением. Кроме того, время выключения и включения на уровне 70-90 наносекунд для карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов SCT2080KE и SCH2080KE компании ROHM обеспечивает частоту переключения в диапазоне сотни килогерц (кГц).

Потребители получают выгоду от полной линейки собственного производства компании ROHM Semiconductors, поскольку это позволяет компании контролировать качество, начиная от изготовления подложки и заканчивая упаковыванием и тестированием. Осуществление такого контроля позволяет компании ROHM успешно выпускать более надежные карбид-кремниевые транзисторы, по сравнению с альтернативными кремниевыми компонентами.

Изготовление крупных партий доступно с июля 2013 года. Транзисторы SCT2080KE и SCH2080KE компании ROHM изготовлены в TO-247 корпусе, а SCT2080KE также доступен в бескорпусном исполнении. Для получения более подробной информации о карбид-кремниевых MOSFET-транзисторах SCT2080KE и SCH2080KE компании ROHM, пожалуйста, перейдите по ссылке: www.rohm.com/web/global/sic-mosfet

Даташит SCH2080KE
Даташит SCT2080KE

Источник новости