Исследователи создали новый технический прием для производства тонких пленок кристаллов германия – ключевого компонента для электронных устройств следующего поколения, таких как усовершенствованные большие схемы и гибкие электронные устройства для гаджетов, которые могут перемещаться или сгибаться.
По сравнению с общепринятыми методами, новый подход не требует использования высоких температур или других кристаллов, которые выступают исходными элементами для выращивания кристалла германия. Исследователи заявили, что данный новый подход может использоваться для производства германиевых пленок с большой площадью, что расширит область потенциального применения.
"Это реализовало мечты исследователей, занимающихся выращиванием кристаллов", заявил Тайзох Садох (Taizoh Sadoh) из университета Кюсю. "Данный уникальный метод откроет новые пути для создания улучшенных гибких электронных устройств".
Заряженные частицы перемещаются через германий быстрее, чем через кремний, делая германий идеальным материалом для электронных устройств. Это позволит использовать данный материал для тонкопленочных транзисторов, которые используются в гибких электронных устройствах. Однако для использования именно в гибких устройствах германий должен быть выращен на эластичных материалах, которые размягчаются при температуре свыше 300° Цельсия. Трудность заключается в том, чтобы вырастить германий при более низких температурах.
Используя золото в качестве катализатора, Садох и его коллеги сумели вырастить кристаллы германия при температуре около 250° Цельсия. Далее они смогут выращивать их таким способом, чтобы структура кристалла имела правильную ориентацию и электрические свойства, необходимые для технологических применений.
Опубликована: 11.09.2013
Вознаградить
Комментарии (0)
|
Я собрал (0) |
Подписаться
Для добавления Вашей сборки необходима регистрация