Главная » Новости электроники
Призовой фонд
на январь 2017 г.
1. 5000 руб.
Академия Благородных Металлов
2. 1000 руб.
Radio-Sale
3. Регулируемый паяльник 60 Вт
Паяльник
4. 600 руб.
От пользователей
5. Тестер компонентов LCR-T4
Паяльник

Компания Vishay расширила линейку силовых продуктов, выпустив MOSFET-транзисторы в корпусе PowerPAK

Корпорация Vishay Intertechnology, Inc предлагает новые p-канальные силовые MOSFET-транзисторы в корпусах PowerPAK® 1212-8 и PowerPAK 1212-8S с напряжением сток-исток -40 В и -30 В соответственно, изготовленные по технологии TrenchFET® Gen III. Характеризуясь промышленно-низким сопротивлением в открытом состоянии при напряжениях затвор-исток -10 В и -4.5 В, транзистор Vishay Siliconix SiS443DN является первым -40 В p-канальным Gen III устройством, в то время как SiSS27DN первым -30 В MOSFET-транзистором в корпусе PowerPAK 1212-8S.

SiS443DN и SiSS27DN оптимизированы для переключателей нагрузки напряжением 24 В, 19 В и 12 В, и адаптерных и батарейных выключателей в широком диапазоне применений, включая управление питанием в переносных компьютерах, смартфонах и планшетах. Промышленно-низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет разработчикам достичь низкого падения напряжения в своих схемах и содействует более эффективному использованию питания и длительному времени работы от батарей.

Для применений, требующих более высоких значений напряжения, -40 В SiS443DN обеспечивает максимальное сопротивление в открытом состоянии величиной 11.7 МОм (-10 В) и 16 МОм (-4.5 В) в корпусе PowerPAK 1212-8 размером 3.3 мм на 3.3 мм. Когда величина сопротивления в открытом состоянии является критичным параметром, SiSS27DN предлагает низкие значения 5.6 МОм (-10 В) и 9 МОм (-4.5 В) в корпусе PowerPAK 1212-8S с низким профилем величиной 0.75 мм.

SiS443DN и SiSS27DN полностью прошли тесты Rg и UIS. MOSFET-транзисторы являются безгалогеновыми в соответствии со стандартом JEDEC JS709A и удовлетворяют директиве RoHS Directive 2011/65/EU.

В настоящее время доступны образцы и производственные партии новых p-канальных MOSFET-транзисторов, время выполнения заказа составляет 14-16 недель для крупных заказов.

Даташит (PDF)

Источник новости

Теги:

topa_biser Опубликована: 17.07.2013 0 0
0
x

Оценить статью

  • Техническая грамотность
  • Актуальность материала
  • Орфография
0

Средний балл статьи: 0 Проголосовало: 0 чел.

Комментарии (0) | Я собрал (0) | Подписаться

Статью еще никто не комментировал. Вы можете стать первым.
Добавить комментарий
Имя:
E-mail:
не публикуется
Текст:
Защита от спама:
В чем измеряется электрическое сопротивление?

Модуль радиореле на 4 канала
Модуль радиореле на 4 канала
Конструктор регулируемого преобразователя напряжения LM317 Мультиметр DT9205A
вверх